HSP6040 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP6040

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP6040

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP6040 даташит

 ..1. Size:572K  huashuo
 hsp6040.pdf pdf_icon

HSP6040

HSP6040 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 5.2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 140 A The HSP6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

 8.1. Size:819K  huashuo
 hsp6048.pdf pdf_icon

HSP6040

HSP6048 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6048 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),TYP 3 m converter applications. ID 150 A The HSP6048 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability

 9.1. Size:742K  huashuo
 hsp6032a.pdf pdf_icon

HSP6040

HSP6032A N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6032A is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 7.1 m converter applications. ID 75 A The HSP6032A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 9.2. Size:501K  huashuo
 hsp6016.pdf pdf_icon

HSP6040

HSP6016 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6016 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),max 12 m buck converter applications. ID 60 A The HSP6016 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSP200N02, HSP3018B, HSP3105, HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, AO4407, HSP6048, HSP6115, HSP8004, HSP80P10, HSP8N50, HSS0008, HSS0127, HSS1N20