HSP8004 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP8004

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 175 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP8004

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP8004 даташит

 ..1. Size:770K  huashuo
 hsp8004.pdf pdf_icon

HSP8004

HSP8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DS The HSP8004 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYP gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A D The HSP8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

 9.1. Size:799K  huashuo
 hsp80p10.pdf pdf_icon

HSP8004

HSP80P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP80P10 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 20 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -80 A The HSP80P10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие IGBT... HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048, HSP6115, IRFP250, HSP80P10, HSP8N50, HSS0008, HSS0127, HSS1N20, HSS2012, HSS2300A, HSS2301B