HSP8004 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSP8004 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSP8004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 175 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP8004

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP8004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  huashuo
 hsp8004.pdf pdf_icon

HSP8004

HSP8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSP8004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A DThe HSP8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

 9.1. Size:799K  huashuo
 hsp80p10.pdf pdf_icon

HSP8004

HSP80P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP80P10 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 20 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -80 A The HSP80P10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , IRFP250 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B .

 

 
Back to Top

 


 
.