Справочник MOSFET. SSW3N80A

 

SSW3N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW3N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW3N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW3N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  1
 ssi3n80a ssw3n80a.pdf pdf_icon

SSW3N80A

 9.1. Size:202K  1
 ssi3n90a ssw3n90a.pdf pdf_icon

SSW3N80A

 9.2. Size:508K  samsung
 ssw3n90a.pdf pdf_icon

SSW3N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V2 Low RDS(ON) : 4.679 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

Другие MOSFET... SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , IRF530 , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , SSW5N90A .

History: FRM430D

 

 
Back to Top

 


 
.