SSW3N80A - описание и поиск аналогов

 

SSW3N80A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSW3N80A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SSW3N80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW3N80A даташит

 ..1. Size:228K  1
 ssi3n80a ssw3n80a.pdf pdf_icon

SSW3N80A

 9.1. Size:202K  1
 ssi3n90a ssw3n90a.pdf pdf_icon

SSW3N80A

 9.2. Size:508K  samsung
 ssw3n90a.pdf pdf_icon

SSW3N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V 2 Low RDS(ON) 4.679 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

Другие MOSFET... SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , IRF1010E , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , SSW5N90A .

History: SSW4N90A | SSW4N60A | STP33N10 | STP32N06L | STP36N05L

 

 

 


 
↑ Back to Top
.