SSW3N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSW3N90A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.2 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SSW3N90A Datasheet (PDF)
ssw3n90a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V2 Low RDS(ON) : 4.679 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact
Другие MOSFET... SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , CS150N03A8 , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , SSW5N90A , SSW6N70A .
History: HAF1002 | APL602J | TK3A60DA | AOD4132 | BSS214NW | PK5M6EA
History: HAF1002 | APL602J | TK3A60DA | AOD4132 | BSS214NW | PK5M6EA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet