SSW3N90A - описание и поиск аналогов

 

SSW3N90A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSW3N90A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.2 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SSW3N90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW3N90A даташит

 ..1. Size:202K  1
 ssi3n90a ssw3n90a.pdf pdf_icon

SSW3N90A

 ..2. Size:508K  samsung
 ssw3n90a.pdf pdf_icon

SSW3N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V 2 Low RDS(ON) 4.679 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

 9.1. Size:228K  1
 ssi3n80a ssw3n80a.pdf pdf_icon

SSW3N90A

Другие MOSFET... SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , IRFB3607 , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , SSW5N90A , SSW6N70A .

History: STP33N10FI | SSW7N60A | STD10N10-1 | STP33N10 | HFU1N60

 

 

 


 
↑ Back to Top
.