Справочник MOSFET. SSW4N80A

 

SSW4N80A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSW4N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SSW4N80A

 

 

SSW4N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  1
 ssi4n80a ssw4n80a.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

 ..2. Size:507K  samsung
 ssw4n80a.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 3.400 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

 0.1. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

 0.2. Size:881K  samsung
 ssw4n80as.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 2.450 (Typ.)c112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 9.1. Size:181K  1
 ssi4n90as ssw4n90as.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

 9.2. Size:181K  1
 ssi4n90a ssw4n90a.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

 9.3. Size:217K  1
 ssi4n60a ssw4n60a.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

 9.4. Size:644K  fairchild semi
 ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 9.5. Size:503K  samsung
 ssw4n60a.pdf

SSW4N80A SSW4N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V2 Lower RDS(ON) : 2.037 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

Другие MOSFET... SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , IRFP450 , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , SSW5N90A , SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10-1 .

 

 
Back to Top