HSST3134 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSST3134
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: SOT523
Аналог (замена) для HSST3134
HSST3134 Datasheet (PDF)
hsst3134.pdf

HSST3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSST3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 280 m power switching and load switch applications. ID 0.9 A The HSST3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability
hsst3139.pdf

HSST3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSST3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 230 m converter applications. ID -1.0 A The HSST3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Другие MOSFET... HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 , HSSN3139 , 20N60 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , HSU100P03 .
History: NCEP01T12 | IRF6619 | CHM2323GP
History: NCEP01T12 | IRF6619 | CHM2323GP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent