HSU0026. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU0026

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU0026

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU0026 даташит

 ..1. Size:704K  huashuo
hsu0026.pdfpdf_icon

HSU0026

HSU0026 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU0026 is the high cell density trenched N- VDS 100 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 16 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 40 A The HSU0026 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabili

 9.1. Size:610K  huashuo
hsu0048.pdfpdf_icon

HSU0026

HSU0048 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Low R DS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge RoHs and Halogen-Free Compliant RDS(ON),TYP 6.6 m ID 73 A Description TO252 Pin Configuration The HSU0048 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the Synchronous Rec

 9.2. Size:570K  huashuo
hsu0018a.pdfpdf_icon

HSU0026

HSU0018A Description Product Summary The HSU0018A is the high cell density trenched VDS 100 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),max 22 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 45 A The HSU0018A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. TO252 Pin Con

 9.3. Size:536K  huashuo
hsu0004.pdfpdf_icon

HSU0026

HSU0004 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSU0004 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 112 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 12 A applications . The HSU0004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guara

Другие IGBT... HSSK6303, HSSK8811, HSSN3134, HSSN3139, HSST3134, HSST3139, HSU0004, HSU0018A, 50N06, HSU0048, HSU0115, HSU0139, HSU100P03, HSU1241, HSU12N10, HSU150N03, HSU16N25