Справочник MOSFET. HSU0115

 

HSU0115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU0115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU0115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU0115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  huashuo
 hsu0115.pdf pdf_icon

HSU0115

HSU0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU0115 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 78 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -18 A The HSU0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

 9.1. Size:847K  huashuo
 hsu0139.pdf pdf_icon

HSU0115

HSU0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 42 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -30 A The HSU0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSSN3134 , HSSN3139 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , IRFZ44 , HSU0139 , HSU100P03 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , HSU16N25 , HSU18N20 , HSU20N15A .

History: IPU95R450P7 | NCE60H15AD | VBM17R10 | CS7N70F

 

 
Back to Top

 


 
.