Справочник MOSFET. SSW4N80AS

 

SSW4N80AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW4N80AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW4N80AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW4N80AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf pdf_icon

SSW4N80AS

 ..2. Size:881K  samsung
 ssw4n80as.pdf pdf_icon

SSW4N80AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 2.450 (Typ.)c112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 6.1. Size:184K  1
 ssi4n80a ssw4n80a.pdf pdf_icon

SSW4N80AS

 6.2. Size:507K  samsung
 ssw4n80a.pdf pdf_icon

SSW4N80AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 3.400 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , IRLB4132 , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , SSW5N90A , SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10-1 , STD10N10L-1 .

History: IRF1010Z | CM20N60F

 

 
Back to Top

 


 
.