Справочник MOSFET. HSU6115

 

HSU6115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU6115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU6115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU6115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2267K  huashuo
hsu6115.pdfpdf_icon

HSU6115

HSU6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSU6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),max 25 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -35 A The HSU6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabil

 8.1. Size:2277K  huashuo
hsu6113.pdfpdf_icon

HSU6115

HSU6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU6113 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 90 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -13 A The HSU6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Другие MOSFET... HSU6008 , HSU6014 , HSU6032 , HSU6040 , HSU60N02 , HSU60P02 , HSU60P03 , HSU6113 , RFP50N06 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 .

History: RQ3E100BN | PHP79NQ08LT | IPB06N03LA | HM70P02D | LSD65R180GT | TK5A60W5 | DMT4003SCT

 

 
Back to Top

 


 
.