Справочник MOSFET. FTB07N08N

 

FTB07N08N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTB07N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 494.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FTB07N08N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTB07N08N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  inpower semi
 ftb07n08n.pdf pdf_icon

FTB07N08N

FTB07N08N N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 85V 6m 120A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND FTB07N08N TO-263 IPS Absolute Maxim

Другие MOSFET... HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , P0903BDG , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M , SVF3N80MJ .

History: AP1333GU | 2SK3417B | VBL1101M | VBFB2317 | CWDM3011P | VS3508AE | SSM2302GN

 

 
Back to Top

 


 
.