FTB07N08N - описание и поиск аналогов

 

FTB07N08N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTB07N08N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 494.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для FTB07N08N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTB07N08N даташит

 ..1. Size:225K  inpower semi
 ftb07n08n.pdf pdf_icon

FTB07N08N

FTB07N08N N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 85V 6m 120A Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND FTB07N08N TO-263 IPS Absolute Maxim

Другие MOSFET... HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , IRF1407 , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M , SVF3N80MJ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.