FTB07N08N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FTB07N08N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 494.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
FTB07N08N Datasheet (PDF)
ftb07n08n.pdf

FTB07N08N N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 85V 6m 120A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND FTB07N08N TO-263 IPS Absolute Maxim
Другие MOSFET... HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , P0903BDG , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M , SVF3N80MJ .
History: CEM9935A | BUK138-50DL | STU10NM60N
History: CEM9935A | BUK138-50DL | STU10NM60N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet