FTB07N08N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FTB07N08N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 494.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для FTB07N08N
FTB07N08N Datasheet (PDF)
ftb07n08n.pdf

FTB07N08N N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 85V 6m 120A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND FTB07N08N TO-263 IPS Absolute Maxim
Другие MOSFET... HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , P0903BDG , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M , SVF3N80MJ .
History: AP1333GU | 2SK3417B | VBL1101M | VBFB2317 | CWDM3011P | VS3508AE | SSM2302GN
History: AP1333GU | 2SK3417B | VBL1101M | VBFB2317 | CWDM3011P | VS3508AE | SSM2302GN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet