Справочник MOSFET. RU20P7C-I

 

RU20P7C-I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU20P7C-I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для RU20P7C-I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20P7C-I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  ruichips
ru20p7c-i.pdfpdf_icon

RU20P7C-I

RU20P7C-IP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23-3Applications Load Switch Power Management Battery ProtectionP-Cha

 7.1. Size:415K  ruichips
ru20p7c.pdfpdf_icon

RU20P7C-I

RU20P7CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=-4.5VD RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23-3DDDDDDDApplicationspp Load Switch

 9.1. Size:338K  ruichips
ru20p18l.pdfpdf_icon

RU20P7C-I

RU20P18LP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -20V/-18A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-4.5V D RDS (ON) =45m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)STO252DAp

 9.2. Size:327K  ruichips
ru20p5e.pdfpdf_icon

RU20P7C-I

RU20P5EP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -20V/-5A, RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =65m(Typ.)@VGS=-3V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SDGSOT89DApplications Load Switch Power ManagementGSP-Channel MOSFETAbsolute M

Другие MOSFET... HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , STP80NF70 , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M , SVF3N80MJ , SVF3N80T , SVF3N80F .

History: IPB120N10S4-03 | TPB60R580C | TF3402 | APT6025BFLL | CHM4412JGP | DMP3050LVT | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.