SVF3N80MJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF3N80MJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
trⓘ - Время нарастания: 30.53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42.7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
Тип корпуса: TO251J
SVF3N80MJ Datasheet (PDF)
..1. Size:620K silan
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf
SVF3N80M/MJ/F/D 3A800V N SVF3N80M/MJ/F/D NMOSF-CellTMVDMOS AC-DC
9.1. Size:376K silan
svf3n65vfj.pdf
svf3n65vfj.pdf
SVF3N65VFJ 5A650V N 2SVF3N65VFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918