Справочник MOSFET. SSW7N60A

 

SSW7N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW7N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW7N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW7N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  1
 ssi7n60a ssw7n60a.pdf pdf_icon

SSW7N60A

 ..2. Size:505K  samsung
 ssw7n60a.pdf pdf_icon

SSW7N60A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V2 Lower RDS(ON) : 0.977 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

 7.1. Size:661K  1
 ssw7n60b ssi7n60b.pdf pdf_icon

SSW7N60A

November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2N6786 | CM12N65AF | BUZ74 | CM12N60AF | BUZ74A | NTR4503N

 

 
Back to Top

 


 
.