Справочник MOSFET. SVF4N65CAMJ

 

SVF4N65CAMJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65CAMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251J
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65CAMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  silan
 svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdf pdf_icon

SVF4N65CAMJ

SVF4N65CAF/D/M/MJ 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

 ..2. Size:752K  silan
 svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf pdf_icon

SVF4N65CAMJ

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

 ..3. Size:466K  silan
 svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf pdf_icon

SVF4N65CAMJ

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 31.

 5.1. Size:319K  silan
 svf4n65cafjh.pdf pdf_icon

SVF4N65CAMJ

SVF4N65CAFJH 4A650V N 2SVF4N65CAFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF4N60T , SVF4N60M , SVF4N60F , SVF4N60RDM , SVF4N60RD , SVF4N65CAF , SVF4N65CAD , SVF4N65CAM , MMIS60R580P , SVF4N65CAMN , SVF4N65CAK , SVF4N65D , SVF4N65RD , SVF4N65RM , SVF4N65RMJ , SVF4N65RF , SVF4N65RT .

History: SWP056R68E7T

 

 
Back to Top

 


 
.