SVF4N65CAMJ - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF4N65CAMJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF4N65CAMJ
   Маркировка: 4N65CAMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251J

Аналог (замена) для SVF4N65CAMJ

SVF4N65CAMJ Datasheet (PDF)

..1. Size:314K silan
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdf

SVF4N65CAF/D/M/MJ 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

..2. Size:752K silan
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

..3. Size:466K silan
svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 31.

5.1. Size:319K silan
svf4n65cafjh.pdf

SVF4N65CAFJH 4A650V N 2SVF4N65CAFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

6.1. Size:401K silan
svf4n65cf svf4n65cmj.pdf

SVF4N65CF/MJ 4A650V N 2SVF4N65CF/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

7.1. Size:449K silan
svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

7.2. Size:697K silan
svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

7.3. Size:642K silan
svf4n65.pdf

SVF4N65T/F(G)/M_Datasheet 4A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N65T/F(G)/M is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

7.4. Size:672K silan
svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf