Справочник MOSFET. SVF4N65D

 

SVF4N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVF4N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:697K  silan
 svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon

SVF4N65D

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 ..2. Size:427K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65m svf4n65d svf4n65dtr svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65D

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS F-CellTM VDMOS

 ..3. Size:620K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65D

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N 2SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L13

 0.1. Size:449K  silan
 svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

SVF4N65D

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF4N60RDM , SVF4N60RD , SVF4N65CAF , SVF4N65CAD , SVF4N65CAM , SVF4N65CAMJ , SVF4N65CAMN , SVF4N65CAK , IRF1405 , SVF4N65RD , SVF4N65RM , SVF4N65RMJ , SVF4N65RF , SVF4N65RT , SVF5N60K , SVF5N65D , SVF5N65F .

History: IXTP4N45

 

 
Back to Top

 


 
.