SVF4N65D - описание и поиск аналогов

 

SVF4N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF4N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF4N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65D даташит

 ..1. Size:697K  silan
svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdfpdf_icon

SVF4N65D

 ..3. Size:620K  silan
svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdfpdf_icon

SVF4N65D

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A 650V N 2 SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L 1 3

 0.1. Size:449K  silan
svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdfpdf_icon

SVF4N65D

Другие MOSFET... SVF4N60RDM , SVF4N60RD , SVF4N65CAF , SVF4N65CAD , SVF4N65CAM , SVF4N65CAMJ , SVF4N65CAMN , SVF4N65CAK , IRF830 , SVF4N65RD , SVF4N65RM , SVF4N65RMJ , SVF4N65RF , SVF4N65RT , SVF5N60K , SVF5N65D , SVF5N65F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.