Справочник MOSFET. SVF4N65RMJ

 

SVF4N65RMJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65RMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251J
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65RMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  silan
 svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf pdf_icon

SVF4N65RMJ

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

 ..2. Size:433K  silan
 svf4n65rdtr svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf pdf_icon

SVF4N65RMJ

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

 7.1. Size:449K  silan
 svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

SVF4N65RMJ

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

 7.2. Size:697K  silan
 svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon

SVF4N65RMJ

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLIZ14GPBF | AP4604IN | IRL8113LPBF | STD14NM50N | 2SK1471 | IRLSZ34A | 2SK1637

 

 
Back to Top

 


 
.