SVF4N65RMJ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SVF4N65RMJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: TO251J
Аналог (замена) для SVF4N65RMJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVF4N65RMJ даташит
svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf
SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A 650V N 2 SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3
Другие MOSFET... SVF4N65CAD , SVF4N65CAM , SVF4N65CAMJ , SVF4N65CAMN , SVF4N65CAK , SVF4N65D , SVF4N65RD , SVF4N65RM , IRFB7545 , SVF4N65RF , SVF4N65RT , SVF5N60K , SVF5N65D , SVF5N65F , SVF6N60MJ , SVF6N60F , SVF6N60D .
History: AGM60P20D
History: AGM60P20D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement