Справочник MOSFET. SVF6N60F

 

SVF6N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF6N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF6N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  silan
 svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf pdf_icon

SVF6N60F

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3

 ..2. Size:547K  silan
 svf6n60mj svf6n60f svf6n60d.pdf pdf_icon

SVF6N60F

SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

 9.1. Size:344K  silan
 svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon

SVF6N60F

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.2. Size:316K  silan
 svf6n70f.pdf pdf_icon

SVF6N60F

SVF6N70F 6A700V N 2SVF6N70F N MOS F-CellTM VDMOS 13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STB46NF30 | SQJ460AEP | H5N2004DL | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.