Справочник MOSFET. SVF7N60S

 

SVF7N60S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF7N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 122 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVF7N60S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF7N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  silan
 svf7n60f svf7n60s svf7n60d.pdf pdf_icon

SVF7N60S

SVF7N60F/S/D 7A600V N SVF7N60F/S/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 7.1. Size:783K  silan
 svf7n60cf svf7n60cs svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60ct.pdf pdf_icon

SVF7N60S

SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 7A600V N SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N MOS F-CellTM VDMOS

 7.2. Size:452K  silan
 svf7n60cf svf7n60cs svf7n60cstr svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60cdtr svf7n60ct.pdf pdf_icon

SVF7N60S

SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 7A600V N 2 SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N MOS 1213 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L3

 7.3. Size:627K  silan
 svf7n60t svf7n60f.pdf pdf_icon

SVF7N60S

SVF7N60T/F_Datasheet 7A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF740MJ , SVF7N60CF , SVF7N60CS , SVF7N60CK , SVF7N60CMJ , SVF7N60CD , SVF7N60CT , SVF7N60F , IRF540N , SVF7N60D , SVF7N65CF , SVF7N65CD , SVF7N65CMJ , SVF7N65CK , SVF7N65CS , SVF7N65CFQ , SVF7N65CT .

 

 
Back to Top

 


 
.