SVF7N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF7N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF7N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF7N60D даташит

 ..1. Size:512K  silan
 svf7n60f svf7n60s svf7n60d.pdf pdf_icon

SVF7N60D

 7.1. Size:783K  silan
 svf7n60cf svf7n60cs svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60ct.pdf pdf_icon

SVF7N60D

SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 7A 600V N SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N MOS F-CellTM VDMOS

 7.2. Size:452K  silan
 svf7n60cf svf7n60cs svf7n60cstr svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60cdtr svf7n60ct.pdf pdf_icon

SVF7N60D

 7.3. Size:627K  silan
 svf7n60t svf7n60f.pdf pdf_icon

SVF7N60D

SVF7N60T/F_Datasheet 7A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF7N60CF, SVF7N60CS, SVF7N60CK, SVF7N60CMJ, SVF7N60CD, SVF7N60CT, SVF7N60F, SVF7N60S, 50N06, SVF7N65CF, SVF7N65CD, SVF7N65CMJ, SVF7N65CK, SVF7N65CS, SVF7N65CFQ, SVF7N65CT, SVF7N65S