Справочник MOSFET. SVF7N65CD

 

SVF7N65CD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF7N65CD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SVF7N65CD

 

 

SVF7N65CD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  silan
 svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65cs svf7n65cfq.pdf

SVF7N65CD SVF7N65CD

SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ 7A650V N SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ N MOS F-CellTM VDMOS

 ..2. Size:641K  silan
 svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf

SVF7N65CD SVF7N65CD

SVF7N65CF/D/MJ/K/T 7A650V N 2SVF7N65CF/D/MJ/K/T N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 TO-262-3L3

 0.1. Size:527K  silan
 svf7n65cf svf7n65cdtr svf7n65cmj svf7n65cmjl svf7n65ck svf7n65ct.pdf

SVF7N65CD SVF7N65CD

SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T 7A650V N 2 1SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T N MOS 231 F-CellTM VDMOS TO-262-3L3 12

 6.1. Size:321K  silan
 svf7n65cfjh.pdf

SVF7N65CD SVF7N65CD

SVF7N65CFJH 7A650V N 2SVF7N65CFJH N MOS F-CellTM VDMOS 13

 7.1. Size:407K  silan
 svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf

SVF7N65CD SVF7N65CD

SVF7N65T/F/S 7A650V N 2 SVF7N65T/F/S N MOS 1 F-CellTM VDMOS 31. 2. 3.

 7.2. Size:575K  silan
 svf7n65t svf7n65f svf7n65s.pdf

SVF7N65CD SVF7N65CD

SVF7N65T/F/S 7A650V N SVF7N65T/F/S N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 7.3. Size:623K  silan
 svf7n65f-t.pdf

SVF7N65CD SVF7N65CD

SVF7N65T/F_Datasheet 7A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top