SVF8N60T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SVF8N60T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVF8N60T
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVF8N60T даташит
svf8n60t svf8n60f.pdf
SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf
SVF8N65RD(MJ) 8A 650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1
svf8n65t svf8n65f.pdf
SVF8N65T/F 8A 650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D
Другие MOSFET... SVF7N65CT , SVF7N65S , SVF7N80T , SVF7N80F , SVF840F , SVF840D , SVF840S , SVF840MJ , 2N7000 , SVF8N60F , SVF8N65T , SVF8N65F , SVS11N65FJD2 , SVS20N60FJD2 , SVS20N60KD2 , SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor