Справочник MOSFET. IXFA18N65X2

 

IXFA18N65X2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFA18N65X2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 290 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
   Время нарастания (tr): 30 ns
   Выходная емкость (Cd): 1100 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXFA18N65X2

 

 

IXFA18N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  ixys
ixfa18n65x2 ixfp18n65x2 ixfh18n65x2.pdf

IXFA18N65X2 IXFA18N65X2

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA18N65X2Power MOSFET ID25 = 18AIXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 650 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGS

 6.1. Size:183K  ixys
ixfa18n60x ixfh18n60x ixfp18n60x.pdf

IXFA18N65X2 IXFA18N65X2

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA18N60XPower MOSFET ID25 = 18AIXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60XTO-263 AA (IXFA)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to

 8.1. Size:208K  ixys
ixfa180n10t2 ixfp180n10t2.pdf

IXFA18N65X2 IXFA18N65X2

Preliminary Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 100VIXFA180N10T2Power MOSFET ID25 = 180AIXFP180N10T2 RDS(on) 6m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RG

 8.2. Size:204K  inchange semiconductor
ixfa180n10t2.pdf

IXFA18N65X2 IXFA18N65X2

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFA180N10T2FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top