Справочник MOSFET. IXFH18N65X2

 

IXFH18N65X2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH18N65X2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH18N65X2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH18N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  ixys
ixfa18n65x2 ixfp18n65x2 ixfh18n65x2.pdfpdf_icon

IXFH18N65X2

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA18N65X2Power MOSFET ID25 = 18AIXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 650 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGS

 6.1. Size:183K  ixys
ixfa18n60x ixfh18n60x ixfp18n60x.pdfpdf_icon

IXFH18N65X2

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA18N60XPower MOSFET ID25 = 18AIXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60XTO-263 AA (IXFA)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to

 6.2. Size:172K  ixys
ixfh18n60p ixfv18n60p.pdfpdf_icon

IXFH18N65X2

IXFH 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXFV 18N60PS RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Co

 7.1. Size:130K  ixys
ixfh18n100q3 ixft18n100q3.pdfpdf_icon

IXFH18N65X2

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VIXFT18N100Q3Power MOSFETs ID25 = 18AIXFH18N100Q3 Q3-Class RDS(on) 660m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

Другие MOSFET... SVT044R5NT , SVT044R5ND , SVT044R5NL5 , SVT088R0NT , SVT13N06SA , IXFA18N65X2 , IXFA60N25X3 , IXFA80N25X3 , IRFB3607 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 , IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 .

History: DMP2038USS | QM6003F | BLS65R560-P | NCEA40P25G | 2SK776 | STU438A | FTK2306

 

 
Back to Top

 


 
.