IXFP60N25X3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFP60N25X3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 645 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IXFP60N25X3
IXFP60N25X3 Datasheet (PDF)
ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf
X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA60N25X3Power MOSFET ID25 = 60AIXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 250 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Co
Другие MOSFET... IXFA80N25X3 , IXFH18N65X2 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 , IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , AON6380 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 .
History: AO6806 | SPTA65R350E | SI4936ADY | MTP3055A | IRLR2905ZTR | HFP740 | 2SK3882-01
History: AO6806 | SPTA65R350E | SI4936ADY | MTP3055A | IRLR2905ZTR | HFP740 | 2SK3882-01
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270


