IXTT240N15X4HV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTT240N15X4HV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
Тип корпуса: TO268HV
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IXTT240N15X4HV Datasheet (PDF)
ixtt240n15x4hv ixth240n15x4.pdf

Advance Technical InformationX4-Class VDSS = 150VIXTT240N15X4HVPower MOSFETTM ID25 = 240AIXTH240N15X4 RDS(on) 4.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXTT..HV)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 175C 150 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 150 VTO-247 (IXTH)VGSS Cont
ixth2n300p3hv ixtt2n300p3hv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTT2N300P3HVPower MOSFETID25 = 2AIXTH2N300P3HV RDS(on) 21 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 3000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS Continuous 20 VV
ixtt26n60p ixtv26n60p ixtv26n60ps ixth26n60p ixtq26n60p.pdf

IXTH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXTT26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV26N60PAvalanche RatedTO-247 (IXTH)IXTV26N60PSGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tran
ixtq26n50p ixtt26n50p ixtv26n50p.pdf

IXTQ 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTT 26N50P ID25 = 26 APower MOSFET IXTV 26N50P RDS(on) 230 m IXTV 26N50PSN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VDS D (TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VTO-268 (IXTT)VGSS Continuos 30 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: TPCA8022-H | IPB240N03S4L-R8 | CS6N80A8 | VBA2311 | IRF3707SPBF | ZVN4424C | SSM9980M
History: TPCA8022-H | IPB240N03S4L-R8 | CS6N80A8 | VBA2311 | IRF3707SPBF | ZVN4424C | SSM9980M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20