Справочник MOSFET. AIMW120R045M1

 

AIMW120R045M1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AIMW120R045M1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 228 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AIMW120R045M1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AIMW120R045M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1365K  infineon
 aimw120r045m1.pdf pdf_icon

AIMW120R045M1

AIMW120R045M1 AIMW120R045M1 CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Very low switching losses Threshold-free on state characteristic IGBT-compatible driving voltage (15V for turn-on) 0V turn-off gate voltage Benchmark gate threshold voltage, V =4.5V GS(th) Fully c

Другие MOSFET... IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , P0903BDG , AUIRLS8409-7P , BF2040 , BF2040R , BF2040W , BSC007N04LS6 , BSC010N04LS6 , BSC010N04LST , BSC011N03LST .

History: TSM35N10CP | IPB80N04S4-04 | 30N20 | STFI11N65M2 | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.