AIMW120R045M1 - описание и поиск аналогов

 

AIMW120R045M1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AIMW120R045M1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 228 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AIMW120R045M1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AIMW120R045M1 даташит

 ..1. Size:1365K  infineon
 aimw120r045m1.pdf pdf_icon

AIMW120R045M1

AIMW120R045M1 AIMW120R045M1 CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Very low switching losses Threshold-free on state characteristic IGBT-compatible driving voltage (15V for turn-on) 0V turn-off gate voltage Benchmark gate threshold voltage, V =4.5V GS(th) Fully c

Другие MOSFET... IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , IRF1407 , AUIRLS8409-7P , BF2040 , BF2040R , BF2040W , BSC007N04LS6 , BSC010N04LS6 , BSC010N04LST , BSC011N03LST .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.