BSC112N06LD. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSC112N06LD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0112 Ohm
Тип корпуса: TDSON-8-4
Аналог (замена) для BSC112N06LD
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC112N06LD даташит
bsc112n06ld.pdf
BSC112N06LD MOSFET PG-TDSON-8-4 OptiMOSTM-T2 Power Transistor, 60 V 8 1 7 Features 2 6 3 5 4 Dual N-channel, Logic level Fast switching MOSFETs for SMPS Optimized technology for Synchronous Rectification Pb-free plating; RoHS compliant 1 8 2 7 100% Avalanche tested 3 6 5 4 Superior Thermal Resistance Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product Va
bsc110n15ns5.pdf
BSC110N15NS5 MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 150 C operating temperature 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Qualified according to JEDEC1) for target application 3 1 4 Ideal for hig
bsc118n10ns8 bsc118n10nsg.pdf
BSC118N10NS G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 11.8 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 71 A D Very low on-resistance R DS(on) 150 C operating temperature PG-TDSON-8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ide
Другие MOSFET... BSC0805LS , BSC093N15NS5 , BSC094N06LS5 , BSC096N10LS5 , BSC097N06NST , BSC0993ND , BSC0996NS , BSC110N15NS5 , IRF3205 , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 .
History: SI2301S | AOWF10N60 | SWD4N50K | 4N60L-TN3-R | RUF020N02 | SWD80N04V | HM4354
History: SI2301S | AOWF10N60 | SWD4N50K | 4N60L-TN3-R | RUF020N02 | SWD80N04V | HM4354
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor








