Справочник MOSFET. BSF450NE7NH3G

 

BSF450NE7NH3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSF450NE7NH3G
   Маркировка: 0307'
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: WDSON-2

 Аналог (замена) для BSF450NE7NH3G

 

 

BSF450NE7NH3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1195K  infineon
bsf450ne7nh3g.pdf

BSF450NE7NH3G
BSF450NE7NH3G

BSF450NE7NH3 GMOSFETCanPAK SOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance Dual sided cooling Low parasitic inductance Low profile (

 2.1. Size:1331K  infineon
bsf450ne7nh3.pdf

BSF450NE7NH3G
BSF450NE7NH3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GData SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GCanPAK S1 DescriptionFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 

Back to Top