Справочник MOSFET. BSF450NE7NH3G

 

BSF450NE7NH3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSF450NE7NH3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSF450NE7NH3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF450NE7NH3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1195K  infineon
 bsf450ne7nh3g.pdf pdf_icon

BSF450NE7NH3G

BSF450NE7NH3 GMOSFETCanPAK SOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance Dual sided cooling Low parasitic inductance Low profile (

 2.1. Size:1331K  infineon
 bsf450ne7nh3.pdf pdf_icon

BSF450NE7NH3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GData SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GCanPAK S1 DescriptionFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance

Другие MOSFET... BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , 50N06 , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , BSZ021N04LS6 .

 

 
Back to Top

 


 
.