BSF450NE7NH3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSF450NE7NH3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: WDSON-2
Аналог (замена) для BSF450NE7NH3G
BSF450NE7NH3G Datasheet (PDF)
bsf450ne7nh3g.pdf

BSF450NE7NH3 GMOSFETCanPAK SOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance Dual sided cooling Low parasitic inductance Low profile (
bsf450ne7nh3.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GData SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GCanPAK S1 DescriptionFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance
Другие MOSFET... BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , 50N06 , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , BSZ021N04LS6 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet