BSF450NE7NH3G - описание и поиск аналогов

 

BSF450NE7NH3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSF450NE7NH3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: WDSON-2

Аналог (замена) для BSF450NE7NH3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF450NE7NH3G даташит

 ..1. Size:1195K  infineon
 bsf450ne7nh3g.pdf pdf_icon

BSF450NE7NH3G

BSF450NE7NH3 G MOSFET CanPAK S OptiMOS 3 Power-MOSFET, 75 V Features Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance Dual sided cooling Low parasitic inductance Low profile (

 2.1. Size:1331K  infineon
 bsf450ne7nh3.pdf pdf_icon

BSF450NE7NH3G

Другие MOSFET... BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , 50N06 , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , BSZ021N04LS6 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.