BSS340NW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSS340NW
Маркировка: XGs
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.88 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.46 nC
trⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
BSS340NW Datasheet (PDF)
bss340nw.pdf
BSS340NWMOSFETSOT-323-3OptiMOS2 Small-Signal-Transistor, 30 VFeatures N-channel Enhancement mode Logic level (4.5V rated) Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Table 1 Key Performance ParametersDrainPin 2Parameter Value UnitV 30 VDSGatePin 1R V =4.5 V 60
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918