IMZA65R027M1H - описание и поиск аналогов

 

IMZA65R027M1H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IMZA65R027M1H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 189 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 23 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO247-4

Аналог (замена) для IMZA65R027M1H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IMZA65R027M1H даташит

 ..1. Size:1478K  infineon
 imza65r027m1h.pdf pdf_icon

IMZA65R027M1H

IMZA65R027M1H MOSFET PG-TO 247-4-3 650 V CoolSiC M1 SiC Trench Power Device The 650 V CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology developed in Infineon in more than 20 years. Leveraging the wide bandgap Tab SiC material characteristics, the 650V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature a

 6.1. Size:1468K  infineon
 imza65r072m1h.pdf pdf_icon

IMZA65R027M1H

IMZA65R072M1H MOSFET PG-TO 247-4-3 650 V CoolSiC M1 SiC Trench Power Device The 650 V CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology developed in Infineon in more than 20 years. Leveraging the wide bandgap Tab SiC material characteristics, the 650V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature a

 6.2. Size:1483K  infineon
 imza65r048m1h.pdf pdf_icon

IMZA65R027M1H

IMZA65R048M1H MOSFET PG-TO 247-4-3 650 V CoolSiC M1 SiC Trench Power Device The 650 V CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology developed in Infineon in more than 20 years. Leveraging the wide bandgap Tab SiC material characteristics, the 650V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature a

Другие MOSFET... IMW65R072M1H , IMW65R107M1H , IMZ120R030M1H , IMZ120R060M1H , IMZ120R090M1H , IMZ120R140M1H , IMZ120R220M1H , IMZ120R350M1H , IRFP450 , IMZA65R048M1H , IMZA65R072M1H , IPA029N06NM5S , IPA040N06NM5S , IPA040N08NM5S , IPA050N10NM5S , IPA052N08NM5S , IPA060N06NM5S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.