Справочник MOSFET. STD17N05

 

STD17N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD17N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD17N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  1
 std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf pdf_icon

STD17N05

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

 ..2. Size:180K  st
 std17n05.pdf pdf_icon

STD17N05

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

 0.1. Size:350K  1
 std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf pdf_icon

STD17N05

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 0.2. Size:350K  st
 std17n05l std17n06l.pdf pdf_icon

STD17N05

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD12N06L , STD12N06L-1 , STD12N06LT4 , STD12N06T4 , STD15N06-1 , STD15N06L-1 , STD15N06LT4 , STD15N06T4 , AO3401 , STD17N05-1 , STD17N05L , STD17N05L-1 , STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.