IPA80R1K2P7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPA80R1K2P7
Маркировка: 80R1K2P7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для IPA80R1K2P7
IPA80R1K2P7 Datasheet (PDF)
ipa80r1k2p7.pdf

IPA80R1K2P7MOSFETPG-TO 220 FP800V CoolMOS P7 Power DeviceThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o
ipa80r1k0ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE800V CoolMOS CE Power TransistorIPA80R1K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket800V CoolMOS CE Power TransistorIPA80R1K0CETO-220 FP1 DescriptionCoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs. The high voltage capability combines safety with performan
ipa80r1k4ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE800V CoolMOS CE Power TransistorIPA80R1K4CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket800V CoolMOS CE Power TransistorIPA80R1K4CETO-220 FP1 DescriptionCoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs. The high voltage capability combines safety with performan
ipa80r1k4p7.pdf

IPA80R1K4P7MOSFETPG-TO 220 FP800V CoolMOS P7 Power DeviceThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(o
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
Popular searches
tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet