IPB140N08S4-04 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IPB140N08S4-04. Основные параметры


   Наименование производителя: IPB140N08S4-04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 161 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IPB140N08S4-04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB140N08S4-04 даташит

 ..1. Size:199K  infineon
 ipb140n08s4-04.pdf pdf_icon

IPB140N08S4-04

IPB140N08S4-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 80 V DS R 4.2 mW DS(on),max I 140 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB140N08S4-04 PG-TO263-7-3 4N0804 Maximum ratin

 9.1. Size:771K  infineon
 ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf pdf_icon

IPB140N08S4-04

IPB144N12N3 G IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n) I D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R D n) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH

 9.2. Size:348K  infineon
 ipb14n03la ipi14n03la ipp14n03la.pdf pdf_icon

IPB140N08S4-04

 9.3. Size:446K  infineon
 ipp147n03l-g ipb147n03l-g.pdf pdf_icon

IPB140N08S4-04

Type IPP147N03L G IPB147N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 14.7 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 20 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB060N15N5 , IPB110P06LM , IPB120N03S4L-03 , IPB120N04S4-04 , IPB120N04S4L-02 , IPB120N08S4-03 , IPB120N08S4-04 , IPB120P04P4-04 , 2N7002 , IPB160N04S4L-H1 , IPB17N25S3-100 , AUIRF1324L , AUIRF7734M2TR , AUIRF7749L2TR , AUIRF7759L2TR , AUIRF7769L2TR , AUIRF7799L2TR .

 

 
Back to Top

 


 
.