Справочник MOSFET. STD17N06

 

STD17N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD17N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD17N06

 

 

STD17N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  1
std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf

STD17N06
STD17N06

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

 0.1. Size:350K  1
std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf

STD17N06
STD17N06

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 0.2. Size:350K  st
std17n05l std17n06l.pdf

STD17N06
STD17N06

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 7.1. Size:180K  st
std17n05.pdf

STD17N06
STD17N06

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

Другие MOSFET... STD15N06LT4 , STD15N06T4 , STD17N05 , STD17N05-1 , STD17N05L , STD17N05L-1 , STD17N05LT4 , STD17N05T4 , SPW47N60C3 , STD17N06-1 , STD17N06L , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , STD1NA60-1 , STD1NA60T4 , STD20N06-1 .

 

 
Back to Top