Справочник MOSFET. BSC220N20NSFD

 

BSC220N20NSFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC220N20NSFD
   Маркировка: 220N20F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSON-8-3
 

 Аналог (замена) для BSC220N20NSFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC220N20NSFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:811K  infineon
 bsc220n20nsfd.pdf pdf_icon

BSC220N20NSFD

BSC220N20NSFDMOSFETTSON-8-3OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V8756 6Features 758 N-channel, normal levelPin 1 175 C rated2433 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)4 21 Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for high-frequency switching and

 9.1. Size:313K  infineon
 bsc22dn20ns3.pdf pdf_icon

BSC220N20NSFD

TypeBSC22DN20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 225m N-channel, normal levelID 7 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.