Справочник MOSFET. DF23MR12W1M1PB11

 

DF23MR12W1M1PB11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DF23MR12W1M1PB11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DF23MR12W1M1PB11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DF23MR12W1M1PB11 Datasheet (PDF)

 1.1. Size:518K  infineon
 df23mr12w1m1p b11.pdf pdf_icon

DF23MR12W1M1PB11

DF23MR12W1M1P_B11EasyPACK Modul mit CoolSiC Trench MOSFET und PressFIT / NTC / TIMEasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIMVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VDSSI = 25A / I = 50AD nom DRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Solar Anwendungen Solar applicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features

Другие MOSFET... BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , 10N65 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 , IAUC100N04S6L025 .

History: 2SK3019 | VS3628GA | CSD16322Q5

 

 
Back to Top

 


 
.