Справочник MOSFET. IAUC100N08S5N043

 

IAUC100N08S5N043 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUC100N08S5N043
   Маркировка: 5N08043
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC100N08S5N043 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:773K  infineon
 iauc100n08s5n043.pdf pdf_icon

IAUC100N08S5N043

IAUC100N08S5N043OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on) 4.3mWID 100 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TDSON-8 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 1 100% Avalanche tested1Type Package MarkingPG-TDSON-8 5N08043IAUC100N08S5N043Maximum ratings,

 5.1. Size:665K  infineon
 iauc100n04s6n015.pdf pdf_icon

IAUC100N08S5N043

IAUC100N04S6N015OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.5mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 5.2. Size:665K  infineon
 iauc100n04s6l020.pdf pdf_icon

IAUC100N08S5N043

IAUC100N04S6L020OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 2.0mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 5.3. Size:664K  infineon
 iauc100n04s6l014.pdf pdf_icon

IAUC100N08S5N043

IAUC100N04S6L014OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.4mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 50N06H | APM1110K | CJAA3134K

 

 
Back to Top

 


 
.