Справочник MOSFET. IAUC70N08S5N074

 

IAUC70N08S5N074 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUC70N08S5N074
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC70N08S5N074 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:775K  infineon
 iauc70n08s5n074.pdf pdf_icon

IAUC70N08S5N074

IAUC70N08S5N074OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on) 7.4mWID 70 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TDSON-8 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 1 100% Avalanche tested1Type Package MarkingPG-TDSON-8 5N08074IAUC70N08S5N074Maximum ratings, at

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IXFA24N60X | STV160NF03LAT4 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | IXKH70N60C5 | BSC014N06NS | STE15N100

 

 
Back to Top

 


 
.