IAUC90N10S5N062 - описание и поиск аналогов

 

IAUC90N10S5N062. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IAUC90N10S5N062

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 403 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TDSON-8

Аналог (замена) для IAUC90N10S5N062

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC90N10S5N062 даташит

 0.1. Size:779K  infineon
 iauc90n10s5n062.pdf pdf_icon

IAUC90N10S5N062

IAUC90N10S5N062 OptiMOSTM-5 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on) 6.2 mW ID 90 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 Green product (RoHS compliant) 1 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical ins

Другие MOSFET... IAUC120N04S6N013 , IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IRFZ46N , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 .

History: ME8107-G | ME80N75T-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.