Справочник MOSFET. IAUC90N10S5N062

 

IAUC90N10S5N062 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IAUC90N10S5N062
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 403 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8

 Аналог (замена) для IAUC90N10S5N062

 

 

IAUC90N10S5N062 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:779K  infineon
 iauc90n10s5n062.pdf

IAUC90N10S5N062 IAUC90N10S5N062

IAUC90N10S5N062OptiMOSTM-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on) 6.2mWID 90 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 Green product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical ins

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top