Справочник MOSFET. IAUC90N10S5N062

 

IAUC90N10S5N062 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IAUC90N10S5N062
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 403 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8
 

 Аналог (замена) для IAUC90N10S5N062

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IAUC90N10S5N062 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:779K  infineon
 iauc90n10s5n062.pdf pdf_icon

IAUC90N10S5N062

IAUC90N10S5N062OptiMOSTM-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on) 6.2mWID 90 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 Green product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical ins

Другие MOSFET... IAUC120N04S6N013 , IAUC24N10S5L300 , IAUC28N08S5L230 , IAUC60N04S6L039 , IAUC60N04S6N044 , IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , STP65NF06 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , IAUZ18N10S5L420 , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 .

History: NCEP85T10G | TPA65R360M | 5N65G-TA3-T | YJG80G06B

 

 
Back to Top

 


 
.