2SK1954 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2SK1954. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1954

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 180 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 2SK1954

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

2SK1954 даташит

0.1. Size:2263K renesas
2sk1954-z.pdf pdf_icon

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

8.1. Size:60K 1
2sk1958.pdf pdf_icon

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK1958 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK1958 is an N-channel vertical MOS FET. Because PACKAGE DIMENSIONS (in mm) it can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not 2.1 0.1 necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an 1.25 0.1 actuator for low-current portable systems such as headphone stereos and

8.2. Size:515K 1
2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf pdf_icon