Справочник MOSFET. IPB180N04S4L-H0

 

IPB180N04S4L-H0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB180N04S4L-H0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3070 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IPB180N04S4L-H0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB180N04S4L-H0 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:213K  infineon
 ipb180n04s4l-h0.pdf pdf_icon

IPB180N04S4L-H0

Data Sheet IPB180N04S4L-H0OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.0mID 180 AFeatures N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4L-H0 PG-TO263-7-3 4N04LH0Ma

 1.1. Size:213K  infineon
 ipb180n04s4l-01.pdf pdf_icon

IPB180N04S4L-H0

Data Sheet IPB180N04S4L-01OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.2mID 180 AFeatures N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4L-01 PG-TO263-7-3 4N04L01Ma

 3.1. Size:351K  infineon
 ipb180n04s4-00.pdf pdf_icon

IPB180N04S4L-H0

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.98mWID 180 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400Maxim

 3.2. Size:162K  infineon
 ipb180n04s4-00 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB180N04S4L-H0

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 0.98mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N040

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPAN65R650CE , IPB015N04N6 , IPB08CN10NG , IPB100N12S3-05 , IPB120N10S4-03 , IPB120N10S4-05 , IPB120P04P4L-03 , IPB180N04S4L-01 , 50N06 , IPB180N08S4-02 , IPB180N10S4-02 , IPB180N10S4-03 , IPB180P04P4-03 , IPB180P04P4L-02 , IPB240N03S4L-R8 , IPB240N04S4-1R0 , IPB240N04S4-R9 .

History: BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3 | TPC60R150C

 

 
Back to Top

 


 
.