Справочник MOSFET. IPB60R125CFD7

 

IPB60R125CFD7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB60R125CFD7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB60R125CFD7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1238K  infineon
ipb60r125cfd7.pdfpdf_icon

IPB60R125CFD7

IPB60R125CFD7MOSFETDPAK600V CoolMOS CFD7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS CFD7 is thesuccessor to the CoolMOS CFD2 series and is an optimized platformtailored to target soft switching applications s

 4.1. Size:1396K  infineon
ipb60r125c6.pdfpdf_icon

IPB60R125CFD7

MOSFET+ =L9D - PA

 4.2. Size:931K  infineon
ipb60r125cp.pdfpdf_icon

IPB60R125CFD7

IPB60R125CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ Tj,max 650 VDS Lowest figure-of-merit RONxQgR 0.125DS(on),max Ultra low gate chargeQ 53 nCg,typ Extreme dv/dt rated High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO263 Pb-free lead plating; RoHS compliantCoolMOS CP is specially designe

 4.3. Size:1257K  infineon
ipa60r125c6 ipb60r125c6 ipp60r125c6 ipw60r125c6.pdfpdf_icon

IPB60R125CFD7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R125C6Data SheetRev. 2.3FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPA60R125C6, IPB60R125C6IPP60R125C6 IPW60R125C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the superj

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HGN070N12SL | CS540 | IPD50R280CE | SVF6N80DTR | 2SK2718 | NDT6N70 | 2SK247

 

 
Back to Top

 


 
.