IPC90N04S5-3R6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPC90N04S5-3R6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TDSON-8-33

Аналог (замена) для IPC90N04S5-3R6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPC90N04S5-3R6 даташит

 ..1. Size:395K  infineon
 ipc90n04s5-3r6.pdf pdf_icon

IPC90N04S5-3R6

IPC90N04S5-3R6 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.6 mW ID 90 A Features PG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

 4.1. Size:396K  infineon
 ipc90n04s5l-3r3.pdf pdf_icon

IPC90N04S5-3R6

IPC90N04S5L-3R3 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.3 mW ID 90 A Features PG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche

Другие IGBT... IPC100N04S5L-1R1, IPC100N04S5L-1R5, IPC100N04S5L-1R9, IPC100N04S5L-2R6, IPC50N04S5-5R8, IPC50N04S5L-5R5, IPC70N04S5-4R6, IPC70N04S5L-4R2, AON7410, IPC90N04S5L-3R3, IPD090N03LGE8177, IPD100N04S4L-02, IPD25DP06LM, IPD25DP06NM, IPD30N12S3L-31, IPD35N12S3L-24, IPD380P06NM