Справочник MOSFET. IPC90N04S5-3R6

 

IPC90N04S5-3R6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPC90N04S5-3R6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8-33
 

 Аналог (замена) для IPC90N04S5-3R6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPC90N04S5-3R6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  infineon
 ipc90n04s5-3r6.pdf pdf_icon

IPC90N04S5-3R6

IPC90N04S5-3R6OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.6 mW ID 90 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

 4.1. Size:396K  infineon
 ipc90n04s5l-3r3.pdf pdf_icon

IPC90N04S5-3R6

IPC90N04S5L-3R3OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.3 mW ID 90 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche

Другие MOSFET... IPC100N04S5L-1R1 , IPC100N04S5L-1R5 , IPC100N04S5L-1R9 , IPC100N04S5L-2R6 , IPC50N04S5-5R8 , IPC50N04S5L-5R5 , IPC70N04S5-4R6 , IPC70N04S5L-4R2 , RFP50N06 , IPC90N04S5L-3R3 , IPD090N03LGE8177 , IPD100N04S4L-02 , IPD25DP06LM , IPD25DP06NM , IPD30N12S3L-31 , IPD35N12S3L-24 , IPD380P06NM .

History: APT50M85B2VR | 2SK4096LS | LSG70R450GT | TPC8A06-H | FQD10N20LTF | 2SK3353-Z | STLT20FI

 

 
Back to Top

 


 
.