Справочник MOSFET. IPD50N12S3L-15

 

IPD50N12S3L-15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50N12S3L-15
   Маркировка: QN12L15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N12S3L-15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  infineon
 ipd50n12s3l-15.pdf pdf_icon

IPD50N12S3L-15

IPD50N12S3L-15OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 15 mW ID 50 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp

 7.1. Size:296K  infineon
 ipd50n10s3l-16.pdf pdf_icon

IPD50N12S3L-15

IPD50N10S3L-16OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max 15mWID 50 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N10S3L-16 PG-TO252-3-11 QN10L16Maximum

 7.2. Size:177K  infineon
 ipd50n10s3l-16 ds 1 2.pdf pdf_icon

IPD50N12S3L-15

IPD50N10S3L-16OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 15mWDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N10S3L-16 PG-TO252-3-11 QN10L16Ma

 8.1. Size:154K  1
 ipd50n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD50N12S3L-15

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.