Справочник MOSFET. IPD70N12S3L-12

 

IPD70N12S3L-12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD70N12S3L-12
   Маркировка: QN12L12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 59 nC
   Время нарастания (tr): 6 ns
   Выходная емкость (Cd): 950 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD70N12S3L-12

 

 

IPD70N12S3L-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  infineon
ipd70n12s3l-12.pdf

IPD70N12S3L-12
IPD70N12S3L-12

IPD70N12S3L-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 11.5 mW ID 70 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedT

 4.1. Size:361K  infineon
ipd70n12s3-11.pdf

IPD70N12S3L-12
IPD70N12S3L-12

IPD70N12S3-11OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 11.1 mW ID 70 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTy

 7.1. Size:176K  infineon
ipd70n10s3l-12 ipd70n10s3l-12 ds 1 1.pdf

IPD70N12S3L-12
IPD70N12S3L-12

IPD70N10S3L-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 11.5mWDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N10S3L-12 PG-TO252-3-11 QN10L12

 7.2. Size:175K  infineon
ipd70n10s3-12 ipd70n10s3-12 ds 1 1.pdf

IPD70N12S3L-12
IPD70N12S3L-12

IPD70N10S3-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 11.1mWDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N10S3-12 PG-TO252-3-11 QN1012Max

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , IRFP250 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top