Справочник MOSFET. IPD90N08S4-05

 

IPD90N08S4-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD90N08S4-05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N08S4-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  infineon
 ipd90n08s4-05.pdf pdf_icon

IPD90N08S4-05

IPD90N08S4-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on),max 5.3mWID 90 AFeaturesPG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N08S4-05 PG-TO252-3-313 4N0805Maximum ratings, a

 7.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdf pdf_icon

IPD90N08S4-05

IPD90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.8mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604Maximum ratings, a

 7.2. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N08S4-05

IPD90N06S4L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.5mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-03 P

 7.3. Size:184K  infineon
 ipd90n04s3-04 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N08S4-05

IPD90N04S3-04OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 3.6mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S3-04 PG-TO252-3-11 QN0404Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK1120 | NTMFS6H848NLT1G | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | NCEP0178A

 

 
Back to Top

 


 
.