Справочник MOSFET. IPD90N08S4-05

 

IPD90N08S4-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD90N08S4-05
   Маркировка: 4N0805
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD90N08S4-05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N08S4-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  infineon
 ipd90n08s4-05.pdf pdf_icon

IPD90N08S4-05

IPD90N08S4-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VRDS(on),max 5.3mWID 90 AFeaturesPG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N08S4-05 PG-TO252-3-313 4N0805Maximum ratings, a

 7.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdf pdf_icon

IPD90N08S4-05

IPD90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.8mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604Maximum ratings, a

 7.2. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N08S4-05

IPD90N06S4L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.5mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-03 P

 7.3. Size:184K  infineon
 ipd90n04s3-04 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N08S4-05

IPD90N04S3-04OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 3.6mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S3-04 PG-TO252-3-11 QN0404Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD80R450P7 , IPD80R4K5P7 , IPD80R600P7 , IPD80R750P7 , IPD80R900P7 , IPD85P04P4-07 , IPD85P04P4L-06 , IPD900P06NM , 2SK3918 , IPD90N10S4-06 , IPD90N10S4L-06 , IPD90P04P4L-04 , IPD95R1K2P7 , IPD95R450P7 , IPD95R750P7 , IPDD60R050G7 , IPDD60R080G7 .

History: SSM3K361R

 

 
Back to Top

 


 
.