IPD90N10S4L-06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD90N10S4L-06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD90N10S4L-06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N10S4L-06 даташит

 ..1. Size:130K  infineon
ipd90n10s4l-06.pdfpdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N10S4L-06 OptiMOSTM-T2 Power-Transistor Product Summary V 100 V DS R 6.6 mW DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified TAB MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 1 3 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N10S4L-06 PG-TO252-3-313 4N10L06 Max

 4.1. Size:260K  infineon
ipd90n10s4-06.pdfpdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N10S4-06 OptiMOSTM-T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max 6.7 mW ID 90 A Features N-channel - Normal Level - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified TAB MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 1 3 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N10S4-06 PG-TO252-3-313 4N100

 8.1. Size:163K  infineon
ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdfpdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N06S4-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 3.8 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604 Maximum ratings, a

 8.2. Size:163K  infineon
ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdfpdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N06S4L-03 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 3.5 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSon Type Package Marking IPD90N06S4L-03 P

Другие IGBT... IPD80R600P7, IPD80R750P7, IPD80R900P7, IPD85P04P4-07, IPD85P04P4L-06, IPD900P06NM, IPD90N08S4-05, IPD90N10S4-06, MMIS60R580P, IPD90P04P4L-04, IPD95R1K2P7, IPD95R450P7, IPD95R750P7, IPDD60R050G7, IPDD60R080G7, IPDD60R125G7, IPDD60R150G7