Справочник MOSFET. IPD90N10S4L-06

 

IPD90N10S4L-06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD90N10S4L-06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD90N10S4L-06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N10S4L-06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  infineon
 ipd90n10s4l-06.pdf pdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N10S4L-06OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 6.6mWDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualifiedTAB MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature13 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N10S4L-06 PG-TO252-3-313 4N10L06Max

 4.1. Size:260K  infineon
 ipd90n10s4-06.pdf pdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N10S4-06OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max 6.7mWID 90 AFeatures N-channel - Normal Level - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualifiedTAB MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature13 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N10S4-06 PG-TO252-3-313 4N100

 8.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdf pdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.8mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604Maximum ratings, a

 8.2. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N06S4L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.5mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-03 P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD80R600P7 , IPD80R750P7 , IPD80R900P7 , IPD85P04P4-07 , IPD85P04P4L-06 , IPD900P06NM , IPD90N08S4-05 , IPD90N10S4-06 , 2N7002 , IPD90P04P4L-04 , IPD95R1K2P7 , IPD95R450P7 , IPD95R750P7 , IPDD60R050G7 , IPDD60R080G7 , IPDD60R125G7 , IPDD60R150G7 .

History: SPC10N65G | SI4862DY | SVT044R5NDTR

 

 
Back to Top

 


 
.