Справочник MOSFET. IPD90N10S4L-06

 

IPD90N10S4L-06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD90N10S4L-06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N10S4L-06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  infineon
 ipd90n10s4l-06.pdf pdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N10S4L-06OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 6.6mWDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualifiedTAB MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature13 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N10S4L-06 PG-TO252-3-313 4N10L06Max

 4.1. Size:260K  infineon
 ipd90n10s4-06.pdf pdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N10S4-06OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max 6.7mWID 90 AFeatures N-channel - Normal Level - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualifiedTAB MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature13 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N10S4-06 PG-TO252-3-313 4N100

 8.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdf pdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.8mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604Maximum ratings, a

 8.2. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N10S4L-06

IPD90N06S4L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.5mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-03 P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TPC8036-H | IRF6604 | STW30N65M5 | PHB87N03LT | STW45N65M5 | 2SJ328-Z | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.