Справочник MOSFET. IPG16N10S4L-61A

 

IPG16N10S4L-61A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPG16N10S4L-61A
   Маркировка: 4N10L61
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8-10

 Аналог (замена) для IPG16N10S4L-61A

 

 

IPG16N10S4L-61A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:269K  infineon
 ipg16n10s4l-61a.pdf

IPG16N10S4L-61A IPG16N10S4L-61A

IPG16N10S4L-61AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max3) 61mWID 16 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

 4.1. Size:195K  infineon
 ipg16n10s4-61a.pdf

IPG16N10S4L-61A IPG16N10S4L-61A

IPG16N10S4-61AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max3) 61mID 16 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Typ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top