IPG20N10S4-36A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPG20N10S4-36A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TDSON-8-10

Аналог (замена) для IPG20N10S4-36A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG20N10S4-36A даташит

 ..1. Size:270K  infineon
 ipg20n10s4-36a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4-36A

IPG20N10S4-36A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max4) 36 mW ID 20 A Features Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Type

 4.1. Size:207K  infineon
 ipg20n10s4l-22a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4-36A

IPG20N10S4L-22A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max4) 22 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Ty

 4.2. Size:191K  infineon
 ipg20n10s4l-22.pdf pdf_icon

IPG20N10S4-36A

IPG20N10S4L-22 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max4) 22 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N10S4L-22 PG-TDSON-8-4 4N10L22

 4.3. Size:195K  infineon
 ipg20n10s4l-35a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4-36A

IPG20N10S4L-35A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on),max4) 35 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Typ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPG16N10S4L-61A, IPG20N04S4-18A, IPG20N04S4L-07A, IPG20N04S4L-18A, IPG20N06S2L-50A, IPG20N06S2L-65A, IPG20N06S4L-11A, IPG20N06S4L-26A, IRFB4110, IPG20N10S4L-22, IPG20N10S4L-22A, IPG20N10S4L-35A, IPI08CN10NG, IPI100N12S3-05, IPI120N08S4-03, IPI120N08S4-04, IPI120N10S4-03