Справочник MOSFET. IPG20N10S4-36A

 

IPG20N10S4-36A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPG20N10S4-36A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8-10
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG20N10S4-36A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  infineon
 ipg20n10s4-36a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4-36A

IPG20N10S4-36AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max4) 36mWID 20 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

 4.1. Size:207K  infineon
 ipg20n10s4l-22a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4-36A

IPG20N10S4L-22AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max4) 22mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Ty

 4.2. Size:191K  infineon
 ipg20n10s4l-22.pdf pdf_icon

IPG20N10S4-36A

IPG20N10S4L-22OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max4) 22mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N10S4L-22 PG-TDSON-8-4 4N10L22

 4.3. Size:195K  infineon
 ipg20n10s4l-35a.pdf pdf_icon

IPG20N10S4-36A

IPG20N10S4L-35AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max4) 35mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Typ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.